如同前面所述,真空電容率是一個度量系統(tǒng)常數(shù)。它出現(xiàn)于電磁量的定義方程,主要是因為一個稱為理想化的程序。只使用純理論的推導(dǎo),麥克斯韋方程組奇異地預(yù)測出,電磁波以光速傳播于自由空間。繼續(xù)推論這個預(yù)測,就可以給出具體的數(shù)值。若想了解為什么會有這數(shù)值,需要閱讀一下電磁度量系統(tǒng)的發(fā)展史。

在以下的講述中,注意經(jīng)典物理學(xué)并不特別區(qū)分“真空”和“自由空間”這兩個術(shù)語。當(dāng)今文獻(xiàn)里,“真空”可能指為很多種不同的實驗狀況和理論實體。在閱讀文獻(xiàn)時,只有上下文可以決定術(shù)語的含義。

真空介電常量造價信息

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真空介電常量,又稱為真空電容率,或稱電常數(shù),是一個常見的電磁學(xué)物理常數(shù),符號為ε0。在國際單位制里,真空介電常量的數(shù)值為:

ε0=8.854187817 × 10-12 F/m(近似值)。

真空介電常量是電磁學(xué)中在度量物理量時引進(jìn)的常數(shù)(主要是庫侖定律中對電荷量的度量)。根據(jù)麥克斯韋方程組,可推知真空介電常數(shù)與其它物理常數(shù)的關(guān)系:

其中,c是光波傳播于真空的光速,

是真空磁導(dǎo)率。上式可作為真空介電常數(shù)的定義式。

真空介電常量歷史背景常見問題

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物理學(xué)中,真空介電常數(shù)是一個重要常數(shù),用ε0表示。

我們假設(shè)一正一負(fù)兩電荷(電量為e)在相距距離為r的地方“靜止”。其勢能為:

應(yīng)指出,兩電荷“靜止”不代表其絕對靜止,它們也在真空背景溫度下悄悄運(yùn)動。這個運(yùn)動可看成簡諧運(yùn)動(也可用圓周運(yùn)動來描述),周期為t。因此,某個電荷要產(chǎn)生電流I,且Ie/t。

由于電荷運(yùn)動其電場也跟著變化(指空間靜止某點的電場強(qiáng)度變化),又由于位移電流的本質(zhì)是變化電場,所以這種變化的電場就會在兩電荷之間傳遞,形成電流。此處的位移電流周期也為t,大小也為Ie/t。因為位移電流的表述式可寫為:

這里,E為電場強(qiáng)度,S為截面積,∫S為面積分。

式子右邊的積分可等電量Q,因此此式仍滿足I=dQ/dt的關(guān)系。而這里的Ie/t是從定義式I=dQ/dt推出,因此 Ie/t 可表示這里的位移電流在空間分布的大小。

我們再根據(jù)相對性原理得出,任何物理規(guī)律都有相同的數(shù)學(xué)表達(dá)式。因此,某電流所受的電壓(或電勢)e/(ε0r)也應(yīng)滿足歐姆定律UIR。其中,U為電壓,R為電阻。

根據(jù)實驗結(jié)果,電阻的表達(dá)式為

。其中,ρ為電阻率,
為電流長度,S為截面積。對兩點電荷來說,
,
(因為位移電流的長度即為兩電荷間距離)。應(yīng)注意的是,截面似乎應(yīng)是球面積4πr,但其實不是。我們可作這樣分析:假設(shè)左邊電荷帶正電,右邊電荷帶負(fù)電,又假設(shè)右邊負(fù)電荷不存在時,左邊正電荷的電場線是以球面積發(fā)散,我們把這個球面分為左、右兩個半球面。當(dāng)右邊有了負(fù)電荷時,正電荷的電場線應(yīng)該幾乎全部向右邊半球指向(因為正電荷指向左邊的電場線,這時也會受負(fù)電荷影響,也會迂回向右指向),又由于位移電流是變化電場,那么變化電場這種電流就幾乎全集中在右邊半球,而左邊半球幾乎無電流,那么左邊半球面對電阻就應(yīng)無貢獻(xiàn)。因此,正電荷的電阻就應(yīng)取右邊半球,其截面為半個球面,即2πr(當(dāng)然,也可用其他方法分析,結(jié)論一樣)。

我們又知道,導(dǎo)體的電阻是由其內(nèi)部的雜質(zhì)而引起,而對于真空來說,其中沒有雜質(zhì)。因此,真空的電阻只有幾何因素,沒有物質(zhì)結(jié)構(gòu)因素(電阻率)。或者說,真空沒有電阻率這個概念,真空的電阻率可看作1,沒有轉(zhuǎn)化系數(shù)。對于兩點電荷來說,其位移電流的電阻為:

用這個電阻乘以單個電荷的電流I,有

。

它等于受到的電壓,有

。

代入上式,得:
。

t=1.762×10-11代進(jìn)去,可得真空介電常數(shù)的理論值:

這和實驗值 ε0=8.85 × 10-12 F/m 相比較,基本相符。說明了推導(dǎo)的可行性與合理性。

真空介電常數(shù)本質(zhì)上應(yīng)是時間的量綱。

值得一提的是,t=1.762 × 10-11s在數(shù)值上剛好近似等于真空介電常數(shù)ε0的一半,這兩個量之間有什么關(guān)系呢?

為了說明這個問題,這里假定真空中有二個帶有相同電量(電量為e)的點電荷相互作用,相互作用勢能為

如果單個電荷以周期 t 做圓周運(yùn)動,則電流強(qiáng)度為 Ie/t。根據(jù)實驗結(jié)果,電阻的表達(dá)式可寫為:

其中,ρ為電阻率,

為介質(zhì)的長度,S為介質(zhì)的橫截面積,電流的方向垂直于橫截面。對兩個點電荷來說,雖然它們“靜止”,但它們受“真空背景溫度”的影響,也在做輕微的熱運(yùn)動,這個運(yùn)動可看成是簡諧運(yùn)動(也可用圓周運(yùn)動來進(jìn)行描述),運(yùn)動方向在兩個點電荷之間,周期為t(即前面的所說的“真空背景周期”)。運(yùn)動電荷對應(yīng)的電流可認(rèn)為就是位移電流,這種運(yùn)動使兩個電荷間的電場也發(fā)生了周期性的變化,變化的周期也為t。由于位移電流的本質(zhì)就是變化的電場,則 e/t 在數(shù)值上可表示電流的空間分布,電流方向垂直于以 r 為半徑的球面,式中的橫截面積為S=4πr2。

由于系統(tǒng)處在真空之中,電阻率很大(相對于導(dǎo)體來說),但電子的運(yùn)動是自由的,兩個點電荷間的電阻為:

一個電荷相對一另一個電荷的電勢

,相對應(yīng)的電勢能為

比較勢能表達(dá)式,可知 ε0t/2。

該式表明真空介電常數(shù)ε0與真空背景周期成正比。如果假定電阻率 ρ=1,則真空背景周期與真空介電常數(shù)在數(shù)值上完全相等??傻茫?

上式說明真空背景溫度與真空介電常數(shù)成反比,這個結(jié)果也顯示現(xiàn)實真空環(huán)境與宇宙背景有直接關(guān)系。雖然用 e/t 來表示位移電流的空間分布并不嚴(yán)格,但是足以說明真空介電常數(shù)的測量值與宇宙背景溫度有很大程度的關(guān)聯(lián)。 2100433B

真空介電常量歷史背景文獻(xiàn)

“天花板”現(xiàn)象背后的歷史背景 “天花板”現(xiàn)象背后的歷史背景

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焦點官場"天花板"現(xiàn)象為什么會成為問題?中共中央黨校黨建部教授張榮臣:改革開放30多年來,我們的干部人事制度改革取得的成績是巨大的,但也要承認(rèn),干部制

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裝配式建筑的歷史背景(中國篇1) 裝配式建筑的歷史背景(中國篇1)

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裝配式建筑的歷史背景(中國篇 1) 一、歷史影響 數(shù)千年來,甚至可以追溯到遠(yuǎn)古時代, 歷史上外部因素對于中國建筑的結(jié)構(gòu)、材料和建造方式等, 幾乎沒有任何影響(圖 1)。? ?圖 1 二、古代中國的裝配式 建筑 (一)河姆渡文化 華夏民族的先祖?zhèn)冮_始從舊石器時 代的魚獵、采集、逐水草而居的游牧生活,轉(zhuǎn)向了以農(nóng)耕為 主的定居生活。中國在遠(yuǎn)古( B.C.7000 ,河姆渡文化)就開 創(chuàng)了“梁柱式”建筑的“榫卯結(jié)構(gòu)”,開始實施“裝配式建筑”。圖 2 是在浙江余姚河姆渡新石器文化遺址中發(fā)掘出來的 B.C.5000 ~B.C.3300 年的木構(gòu)榫卯。是至今為止,世界上 考古發(fā)現(xiàn)的最早預(yù)制裝配式建筑構(gòu)件。 ?圖 2 河姆渡遺址 出土許多樁柱、立柱、梁、板等建筑木構(gòu)件,構(gòu)件上有加工 成的榫、卯(孔) 、企口、銷釘?shù)?,顯示當(dāng)時木作技術(shù)的杰 出(圖 3)。柱子兩端凸出的小方形稱為榫、柱上鑿出可將榫 插入的孔為

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電介質(zhì)經(jīng)常是絕緣體。其例子包括瓷器(陶器),云母,玻璃,塑料,和各種金屬氧化物。有些液體和氣體可以作為好的電介質(zhì)材料。干空氣是良好的電介質(zhì),并被用在可變電容器以及某些類型的傳輸線。蒸餾水如果保持沒有雜質(zhì)的話是好的電介質(zhì),其相對介電常量約為80。一個電容板中充入介電常數(shù)為ε的物質(zhì)后電容變大ε倍。2100433B

介電系數(shù),是一個在電的位移和電場強(qiáng)度之間存在的比例常量。這一個常量在自由的空間(一個真空)中是8.85×10的-12次方法拉第/米(F/m)。在其它的材料中,介電系數(shù)可能差別很大,經(jīng)常遠(yuǎn)大于真空中的數(shù)值,其符號是eo。 在工程應(yīng)用中,介電系數(shù)時常在以相對介電系數(shù)的形式被表達(dá),而不是絕對值。如果eo表現(xiàn)自由空間(是,8.85×10的-12次方F/m)的介電系數(shù),而且e是在材料中的介電系數(shù),則這個材料的相對介電系數(shù)(也叫介電常數(shù))由下式給出: ε1=ε / εo=ε×1.13×10的11次方 很多不同的物質(zhì)的介電常數(shù)超過1。這些物質(zhì)通常被稱為絕緣體材料,或是絕緣體。普遍使用的絕緣體包括玻璃,紙,云母,各種不同的陶瓷,聚乙烯和特定的金屬氧化物。絕緣體被用于交流電(AC),聲音電波(AF)和無線電電波(射頻)的電容器和輸電線路。

測試介電強(qiáng)度的儀器信息

介電擊穿強(qiáng)度試驗儀 滿足GB1408.1-2006 要求,主要適用于固體絕緣材料如:塑料、薄膜、樹脂、云母、陶瓷、玻璃、、絕緣漆等介質(zhì)在工頻電壓或直流電壓下?lián)舸?qiáng)度和耐電壓時間的測試;該儀器采用單片機(jī)控制,可對試驗過程中的各種數(shù)據(jù)進(jìn)行快速、準(zhǔn)確的采集、處理,并可存取、顯示、打印 的一種測試儀器。

介電測量的基本方法有:同軸探頭法、傳輸線法、自由空間法、諧振腔體法、平行板電容法。Partulab佰力博DMS系列介電溫譜儀采用的是平行板電容法測量原理,今天我們就來詳細(xì)介紹一下平行板電容法。

?同軸探頭法:寬帶、方便、對材料無破壞性、最適合損耗性MUT、液體和半固體;

傳輸線法:寬帶、最適合損耗至低損耗MUT、可加工的固體;

自由空間法:寬帶、非接觸、最適合平板樣品、粉末、高溫;

諧振腔體法:單一頻率、準(zhǔn)確、最適合低損耗MUT、小型樣品;

平行板電容法:準(zhǔn)確、適用于低頻、細(xì)小,平板樣品。

DMS介電溫譜儀采用的平行板法在ASTM D150標(biāo)準(zhǔn)中又稱為三端子法,其原理是通過在兩個電極之間插入一個材料或液體薄片組成一個電容器,然后測量其電容,根據(jù)測量結(jié)果計算介電常數(shù)。在實際測試裝置中,兩個電極配備在夾持介電材料的夾具上。阻抗測量儀器將測量電容(C)和損耗(D)的矢量分量,然后由軟件程序計算出介電常數(shù)和損耗角正切。

DMS系列介電溫譜儀采用的介電常數(shù)和損耗計算公式,通過測量與MUT直接接觸的電極的電容來推導(dǎo)出介電常數(shù)。

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