硅(臺灣、香港稱矽xī)是一種化學元素,它的化學符號是Si,舊稱矽。原子序數(shù)14,相對原子質(zhì)量28.0855,有無定形硅和晶體硅兩種同素異形體,屬于元素周期表上第三周期,IVA族的類金屬元素。硅也是極為常見的一種元素,然而它極少以單質(zhì)的形式在自然界出現(xiàn),而是以復雜的硅酸鹽或二氧化硅的形式,廣泛存在于巖石、砂礫、塵土之中。硅在宇宙中的儲量排在第八位。在地殼中,它是第二豐富的元素,構(gòu)成地殼總質(zhì)量的26.4%,僅次于第一位的氧(49.4%)。
中文名稱 | 硅 | 外文名稱 | silicon |
---|---|---|---|
元素符號 | Si | 原子量 | 28.0855 |
元素類型 | 非金屬單質(zhì) | 原子序數(shù) | 14 |
發(fā)現(xiàn)人 | 永斯·雅各布·貝采利烏斯 | CAS編號 | 7440-21-3 |
實驗室里可用鎂粉在赤熱下還原粉狀二氧化硅,用稀酸洗去生成的氧化鎂和鎂粉,再用氫氟酸洗去未作用的二氧化硅,即得單質(zhì)硅。這種方法制得的都是不夠純凈的無定形硅,為棕黑色粉末。工業(yè)上生產(chǎn)硅是在電弧爐中還原硅石(SiO2含量大于99%)。使用的還原劑為石油焦和木炭等。使用直流電弧爐時,能全部用石油焦代替木炭。石油焦的灰分低(0.3%~0.8%),采用質(zhì)量高的硅石(SiO2大于99%),可直接煉出制造硅鋼片用的高質(zhì)量硅。高純的半導體硅可在1,200℃的熱硅棒上用氫氣還原高純的三氯氫硅SiHCl3或SiCl4制得。超純的單晶硅可通過直拉法或區(qū)域熔煉法等制備。
用鎂還原二氧化硅可得無定形硅。用碳在電爐中還原二氧化硅可得晶體硅。電子工業(yè)中用的高純硅則是用氫氣還原三氯氫硅或四氯化硅而制得。
硅發(fā)現(xiàn)簡史
1787年,拉瓦錫首次發(fā)現(xiàn)硅存在于巖石中。
1800年,戴維將其錯認為一種化合物。
1811年蓋-呂薩克和泰納爾(Thenard, Louis Jacques)加熱鉀和四氟化硅得到不純的無定形硅,根據(jù)拉丁文silex(燧石)命名為silicon。
1811年,Gay-Lussac和Thenard以矽(硅)的四氟化物與堿土金屬反應,發(fā)現(xiàn)在反應當中生成赤褐色的化合物(可能是含不純物無定形的矽)。
1823年,硅首次作為一種元素被永斯·雅各布·貝采利烏斯發(fā)現(xiàn),并于一年后提煉出了無定形硅,其方法與蓋-呂薩克使用的方法大致相同。他隨后還用反復清洗的方法將單質(zhì)硅提純。
1823年,Berzelius以氧化矽(硅)的粉末,加以鐵,碳的混和物在高溫下加熱,得到矽(硅)化鐵。但是為了抽取純的矽(硅),他使用矽(硅)-氟-鈣的化合物,干燒之后得到的固體,加水分解得到純的矽(硅)。
發(fā)現(xiàn)硅的榮譽歸屬于瑞典化學家J?ns Jacob Berzelius,在斯德哥爾摩(瑞典首都)于1824年,他通過加熱氟硅酸鉀和鉀獲取了硅。這個產(chǎn)物被硅酸鉀污染,但他把它放在水中攪拌,會與之反應,因此得到了相對純凈的硅粉末。
1824年永斯·雅各布·貝采利烏斯用同樣的方法,但經(jīng)過反復洗滌除去其中的氟硅酸,得到純無定形硅。
結(jié)晶性的矽則到了1854年才被提煉出來。矽(硅)的拉丁文是silicium,意為"堅硬之石"。
1854年H·S·C·德維爾第一次制得晶態(tài)硅。
硅名稱的由來:英文silicon,來自拉丁文的silex,silicis,意思為燧石(火石)。 民國初期,學者原將此元素譯為"硅"而令其讀為"xi(圭旁確可讀xi音)"(又,"硅"字本為"砉"字之異體,讀huo)。然而在當時的時空下,由于拼音方案尚未推廣普及,一般大眾多誤讀為gui。由于化學元素譯詞除中國原有命名者,多用音譯,化學學會注意到此問題,于是又創(chuàng) "矽"字避免誤讀。臺灣沿用"矽"字至今。中國大陸在1953年2月,中國科學院召開了一次全國性的化學物質(zhì)命名擴大座談會,有學者以"矽"與另外的化學元素"錫"和"硒"同音易混淆為由,通過并公布改回原名字"硅"并讀"gui",但并未意識到其實"硅"字本亦應讀xi音。有趣的是,矽肺與矽鋼片等詞匯至今仍用矽字。在香港,兩用法皆有,但"矽"較通用。
硅理化性質(zhì)
有無定形硅和晶體硅兩種同素異形體。晶體硅為灰黑色,無定形硅為黑色, 密度2.32-2.34克/立方厘米,熔點1410℃,沸點2355℃,晶體硅屬于原子晶體。不溶于水、硝酸和鹽酸,溶于氫氟酸和堿液。硬而有金屬光澤。
系列 | 類金屬 |
族 | ⅣA族 |
周期 | 3 |
元素分區(qū) | p區(qū) |
密度 | 2328.3 kg/m3 |
常見化合價 | +4 |
硬度 | 6.5 |
地殼含量 | 25.7% |
彈性模量 | 190GPa(有些文獻中為這個值) |
密度 | 2.33g/cm3(18℃) |
熔點 | 1687K(1414℃) |
沸點 | 3173K(2900℃) |
摩爾體積 | 12.06×10??m3/mol |
汽化熱 | 384.22kJ/mol |
熔化熱 | 50.55 kJ/mol |
蒸氣壓 | 4.77Pa(1683K) |
間接帶隙 | 1.1eV (室溫) |
電導率 | 2.52×10?? /(米歐姆) |
電負性 | 1.90(鮑林標度) |
比熱 | 700 J/(kg·K) |
原子核外電子排布:1s22s22p? 3s23p2;
晶胞類型:立方金剛石型;
晶胞參數(shù):20℃下測得其晶胞參數(shù)a=0.543087nm;
顏色和外表: 深灰色、帶藍色調(diào);
采用納米壓入法測得單晶硅(100)的E為140~150GPa;
電導率:硅的電導率與其溫度有很大關(guān)系,隨著溫度升高,電導率增大,在1480℃左右達到最大,而溫度超過1600℃后又隨溫度的升高而減小。
電負性 | 1.90(鮑林標度) |
熱導率 | 148 W/(m·K) |
第一電離能 | 786.5 kJ/mol |
第二電離能 | 1577.1 kJ/mol |
第三電離能 | 3231.6 kJ/mol |
第四電離能 | 4355.5 kJ/mol |
第五電離能 | 16091 kJ/mol |
第六電離能 | 19805 kJ/mol |
第七電離能 | 23780 kJ/mol |
第八電離能 | 29287 kJ/mol |
第九電離能 | 33878 kJ/mol |
第十電離能 | 38726 kJ/mol |
同位素:
符號 | Z(p) | N(n) | 質(zhì)量(u) | 半衰期 | 原子核自旋 | 相對豐度 | 相對豐度的變化量 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
22Si | 14 | 8 | 22.03453(22)# | 29(2)ms | 0+ | ||
23Si | 14 | 9 | 23.02552(21)# | 42.3(4)ms | 3/2+# | ||
24Si | 14 | 10 | 24.011546(21) | 140(8)ms | 0+ | ||
25Si | 14 | 11 | 25.004106(11) | 220(3)ms | 5/2+ | ||
26Si | 14 | 12 | 25.992330(3) | 2.234(13)s | 0+ | ||
27Si | 14 | 13 | 26.98670491(16) | 4.16(2)s | 5/2+ | ||
28Si | 14 | 14 | 27.9769265325(19) | 穩(wěn)定 | 0+ | 0.92223(19) | 0.92205-0.92241 |
29Si | 14 | 15 | 28.976494700(22) | 穩(wěn)定 | 1/2+ | 0.04685(8) | 0.04678-0.04692 |
30Si | 14 | 16 | 29.97377017(3) | 穩(wěn)定 | 0+ | 0.03092(11) | 0.03082-0.03102 |
31Si | 14 | 17 | 30.97536323(4) | 157.3(3)min | 3/2+ | ||
32Si | 14 | 18 | 31.97414808(5) | 170(13)a | 0+ | ||
33Si | 14 | 19 | 32.978000(17) | 6.18(18)s | (3/2+) | ||
34Si | 14 | 20 | 33.978576(15) | 2.77(20) s | 0+ | ||
35Si | 14 | 21 | 34.98458(4) | 780(120) ms | 7/2-# | ||
36Si | 14 | 22 | 35.98660(13) | 0.45(6)s | 0+ | ||
37Si | 14 | 23 | 36.99294(18) | 90(60)ms | (7/2-)# | ||
38Si | 14 | 24 | 37.99563(15) | 90# ms [>1 µs] | 0+ | ||
39Si | 14 | 25 | 39.00207(36) | 47.5(20) ms | 7/2-# | ||
40Si | 14 | 26 | 40.00587(60) | 33.0(10) ms | 0+ | ||
41Si | 14 | 27 | 41.01456(198) | 20.0(25) ms | 7/2-# | ||
42Si | 14 | 28 | 42.01979(54)# | 13(4) ms | 0+ | ||
43Si | 14 | 29 | 43.02866(75)# | 15# ms [>260 ns] | 3/2-# | ||
44Si | 14 | 30 | 44.03526(86)# | 10# ms | 0+ |
備注:1.畫上#號的數(shù)據(jù)代表沒有經(jīng)過實驗的證明,只是理論推測而已,而用括號括起來的代表數(shù)據(jù)不確定性。
2.有三種天然的穩(wěn)定同位素Si(92.2%)、Si(4.7%)和Si(3.1%),還有質(zhì)量數(shù)為25、26、27、31和32的人工放射性同位素。
3.硅(原子質(zhì)量單位: 28.0855,共有23種同位素,其中有3種同位素是穩(wěn)定的。
硅有明顯的非金屬特性,可以溶于堿金屬氫氧化物溶液中,產(chǎn)生(偏)硅酸鹽和氫氣。
硅原子位于元素周期表第IV主族,它的原子序數(shù)為Z=14,核外有14個電子。電子在原子核外,按能級由低硅原子到高,由里到外,層層環(huán)繞,這稱為電子的殼層結(jié)構(gòu)。硅原子的核外電子第一層有2個電子,第二層有8個電子,達到穩(wěn)定態(tài)。最外層有4個電子即為價電子,它對硅原子的導電性等方面起著主導作用。
正因為硅原子有如此結(jié)構(gòu),所以有其一些特殊的性質(zhì):最外層的4個價電子讓硅原子處于亞穩(wěn)定結(jié)構(gòu),這些價電子使硅原子相互之間以共價鍵結(jié)合,由于共價鍵比較結(jié)實,硅具有較高的熔點和密度;化學性質(zhì)比較穩(wěn)定,常溫下很難與其他物質(zhì)(除氟化氫和堿液以外)發(fā)生反應;硅晶體中沒有明顯的自由電子,能導電,但導電率不及金屬,且隨溫度升高而增加,具有半導體性質(zhì)。
加熱下能同單質(zhì)的鹵素、氮、碳等非金屬作用,也能同某些金屬如Mg、Ca、Fe、Pt等作用。生成硅化物。不溶于一般無機酸中,可溶于堿溶液中,并有氫氣放出,形成相應的堿金屬硅酸鹽溶液,于赤熱溫度下,與水蒸氣能發(fā)生作用。
分類:純凈物、單質(zhì)、非金屬單質(zhì)。
(1)與單質(zhì)反應:
Si + O? == SiO?,條件:加熱
Si + 2F? == SiF?
Si + 2Cl? == SiCl?,條件:高溫
(2)高溫真空條件下可以與某些氧化物反應:
2MgO + Si=高溫真空 =Mg(g)+SiO?(硅熱還原法煉鎂)
(3)與酸反應:
只與氫氟酸反應:Si + 4HF == SiF?↑ + 2H?↑
(4)與堿反應:Si + 2OH?+ H?O == SiO?2?+ 2H?↑(如NaOH,KOH)
注意:硅、鋁是既能和酸反應,又能和堿反應,放出氫氣的單質(zhì)。
相關(guān)方程式:
Si+O?=高溫= SiO?
Si + 2OH? + H?O == SiO?2?+ 2H?↑
Si+2F?== SiF?
Si+4HF== SiF?↑+2H?↑
SiO? + 2OH?== SiO?2?+ H?O
SiO?2?+ 2NH??+ H?O == H?SiO?↓ + 2NH?↑
SiO?2?+ CO? + 2H?O == H?SiO?↓+ CO?2?
SiO?2?+ 2H?== H?SiO?↓
SiO?2?+2H?+H?O == H?SiO?↓
H?S iO? == H?SiO? + H?O
3SiO?2?+ 2Fe3?== Fe?(SiO?)?↓
3SiO?2?+2Al3?==Al?(SiO?)?↓
Na?CO? + SiO? =高溫= Na?SiO? + CO? ↑
相關(guān)化合物:
二氧化硅、硅膠、硅酸鹽、硅酸、原硅酸、硅烷、二氯硅烷、三氯硅烷、四氯硅烷、
原子屬性:
原子量:28.0855u;
原子核虧損質(zhì)量:0.1455u;
原子半徑:(計算值)110(111)pm;
共價半徑:111 pm;
范德華半徑:210 pm;
外圍電子層排布:3s23p2;引
電子在每個能級的排布:2,8,4;
電子層:KLM;
氧化性(氧化物):4(兩性的)。
建議使用適合自身情況的,詳情如下:非晶硅跟單晶硅和多晶硅的區(qū)別1、結(jié)構(gòu)組成: 單晶硅是硅的單晶體,具有基本完整的點陣結(jié)構(gòu)的晶體。不同的方向具有不同的性質(zhì),是一種良好的半導材料。 多晶硅是單質(zhì)硅的一種形...
【北京科立潔水處理工程有限公司】的“硅磷晶”水處理技術(shù)有別于目前國內(nèi)市場上的其他水處理藥劑和設(shè)備。該技術(shù)適用于生活水系統(tǒng),將防止水質(zhì)的二次污染與保護用水設(shè)備結(jié)合起來,不但可以解決“黃水”、“紅水”問題...
導熱硅脂: 導熱硅脂是用來填充CPU與散熱片之間的空隙的材料的一種,這種材料又稱之為熱界面材料。其作用是用來向散熱片傳導CP...
謠言:在自然界中,硅都以含氧化合物形式存在。
駁斥:自然界存在天然的硅單質(zhì)且早有報道,下為文獻報道節(jié)選
本文對自然硅進行了礦相學、礦物學研究。該礦物產(chǎn)于福建某地矽卡巖型硫、多金屬礦床中。自然硅呈亮灰銀白色、強金屬光澤。性脆。鏡下呈渾圓粒狀、乳滴狀。均質(zhì)。實測比重d=2.368。硬度H_M=6.76。反射率 R 470nm 37.08;546nm 33.44;589nm 31.27;650nm 29.96。經(jīng)掃描電鏡能譜分析、電子探針分析,Si 99.87%~99.94%。
硅生理功能
硅是人體必需的微量元素之一。占體重的0.026%。硅及含硅的粉塵對人體最大的危害是引起矽肺。矽肺是嚴重的職業(yè)病之一,礦工、石材加工工人以及其他在含有硅粉塵場所的工人應采取必要的防護措施。
硅在結(jié)締組織、軟骨形成中硅是必需的,硅能將粘多糖互相連結(jié),并將粘多糖結(jié)合到蛋白質(zhì)上,形成纖維性結(jié)構(gòu),從而增加結(jié)締組織的彈性和強度,維持結(jié)構(gòu)的完整性;硅參與骨的鈣化作用,在鈣化初始階段起作用,食物中的硅能增加鈣化的速度,尤其當鈣攝入量低時效果更為明顯;膠原中氨基酸約21%為羥脯氨酸,脯氨酰羥化酶使脯氨酸羥基化,此酶顯示最大活力時需要硅;通過對不同來源的膠原分析,結(jié)果顯示硅是膠原組成成分之一。
參考攝入量:由于沒有人體硅需要量的實驗資料,因此難以提出合適的人體每日硅的需求量,由動物實驗推算,硅若易吸收,每天人體的需要量可能為2~5mg。但膳食中大部分的硅不易被吸收,推薦攝入量每天約為5~10mg,可以認為每日攝入20~50mg是適宜的。
過量表現(xiàn):高硅癥,高硅飲食的人群中曾發(fā)現(xiàn)局灶性腎小球腎炎,腎組織中含硅量明顯增高的個體。也有報道有人大量服用硅酸鎂(含硅抗酸劑)可能誘發(fā)人類的尿路結(jié)石。
硅肺病,經(jīng)呼吸道長期吸入大量含硅的粉塵,可引起矽肺。
矽肺(silicosis)又稱硅肺,是塵肺中最為常見的一種類型,是由于長期吸入大量含有游離二氧化硅粉塵所引起,以肺部廣泛的結(jié)節(jié)性纖維化為主的疾病。矽肺病人由于兩肺發(fā)生廣泛性纖維組織增生肺組織的微血管循環(huán)受到障礙,抵抗力下降,因而容易合并其他疾病,導致病情惡化,甚至死亡。
不足表現(xiàn):飼料中缺少硅可使動物生長遲緩、缺乏導致頭發(fā)、指甲易斷裂,皮膚失去光澤。動物試驗結(jié)果顯示,喂飼致動脈硬化飲料的同時補充硅,有利于保護動物的主動脈的結(jié)構(gòu)。另外,已確定血管壁中硅含量與人和動物粥樣硬化程度呈反比。在心血管疾病長期發(fā)病率相差兩部的人群中,其飲用水中硅的含量也相差約兩倍,飲用水硅含量高的人群患病較少。
硅是一種非常安全的物質(zhì),本身不予免疫系統(tǒng)反應,也不會被細胞吞噬,更不會滋生細菌或與化學物質(zhì)發(fā)生反應,同時還可以有針對皮膚傷口所開發(fā)生產(chǎn)的硅膠,可以用來保護傷口,是安全性非常高的材料,受各國衛(wèi)生機關(guān)許可使用。
硅礦藏分布
硅的豐度,引起早期化學家的興趣。矽(硅)在地球表面的含量僅次于氧,占有將近28%.但是矽(硅)元素并非最早被發(fā)現(xiàn)的元素,那是因為從矽(硅)的氧化物中要將矽還原出來是一件非常困難的事。
硅約占地殼總重量的25.7%,僅次于氧。在自然界中,硅通常以含氧化合物形式存在,其中最簡單的是硅和氧的化合物硅石SiO2。石英、水晶等是純硅石的變體。礦石和巖石中的硅氧化合物統(tǒng)稱硅酸鹽,較重要的有長石KAlSi3O8、高嶺土Al2Si2O5(OH)4、滑石Mg3(Si4O10)(OH)2、云母KAl2(AlSi3O10)(OH)2、石棉H4Mg3Si2O9、鈉沸石Na2(Al2Si3O10)·2H2O、石榴石Ca3Al2(SiO4)3、鋯石英ZrSiO4和綠柱石Be3Al2Si6O18等。土壤、黏土和砂子是天然硅酸鹽巖石風化后的產(chǎn)物。
硅在自然界分布很廣,在地殼中的原子百分含量為16.7%。是組成巖石礦物的一個基本元素,以石英砂和硅酸鹽出現(xiàn)。
硅在地殼中的含量是除氧外最多的元素。如果說碳是組成一切有機生命的基礎(chǔ),那么硅對于地殼來說,占有同樣的位置,因為地殼的主要部分都是由含硅的巖石層構(gòu)成的。這些巖石幾乎全部是由硅石和各種硅酸鹽組成。長石、云母、黏土、橄欖石、角閃石等等都是硅酸鹽類;水晶、瑪瑙、碧石、蛋白石、石英、砂子以及燧石等等都是硅石。
硅應用領(lǐng)域
1、高純的單晶硅是重要的半導體材料。在單晶硅中摻入微量的第IIIA族元素,形成p型硅半導體;摻入微量的第VA族元素,形成n型半導體。p型半導體和n型半導體結(jié)合在一起形成p-n結(jié),就可做成太陽能電池,將輻射能轉(zhuǎn)變?yōu)殡娔?。在開發(fā)能源方面是一種很有前途的材料。另外廣泛應用的二極管、三極管、晶閘管、場效應管和各種集成電路(包括人們計算機內(nèi)的芯片和CPU)都是用硅做的原材料。
2、金屬陶瓷、宇宙航行的重要材料。將陶瓷和金屬混合燒結(jié),制成金屬陶瓷復合材料,它耐高溫,富韌性,可以切割,既繼承了金屬和陶瓷的各自的優(yōu)點,又彌補了兩者的先天缺陷。可應用于軍事武器的制造。第一架航天飛機"哥倫比亞號"能抵擋住高速穿行稠密大氣時摩擦產(chǎn)生的高溫,全靠它那三萬一千塊硅瓦拼砌成的外殼。
3、光導纖維通信,最新的現(xiàn)代通信手段。用純二氧化硅可以拉制出高透明度的玻璃纖維。激光可在玻璃纖維的通路里,發(fā)生無數(shù)次全反射而向前傳輸,代替了笨重的電纜。光纖通信容量高,一根頭發(fā)絲那么細的玻璃纖維,可以同時傳輸256路電話;而且它還不受電、磁的干擾,不怕竊聽,具有高度的保密性。光纖通信將會使21世紀人類的生活發(fā)生革命性巨變。
4、性能優(yōu)異的硅有機化合物。例如有機硅塑料是極好的防水涂布材料。在地下鐵道四壁噴涂有機硅,可以一勞永逸地解決滲水問題。在古文物、雕塑的外表,涂一層薄薄的有機硅塑料,可以防止青苔滋生,抵擋風吹雨淋和風化。天安門廣場上的人民英雄紀念碑,便是經(jīng)過有機硅塑料處理表面的,因此永遠潔白、清新。
5、由于有機硅獨特的結(jié)構(gòu),兼?zhèn)淞藷o機材料與有機材料的性能,具有表面張力低、粘溫系數(shù)小、壓縮性高、氣體滲透性高等基本性質(zhì),并具有耐高低溫、電氣絕緣、耐氧化穩(wěn)定性、耐候性、難燃、憎水、耐腐蝕、無毒無味以及生理惰性等優(yōu)異特性,廣泛應用于航空航天、電子電氣、建筑、運輸、化工、紡織、食品、輕工、醫(yī)療等行業(yè),其中有機硅主要應用于密封、粘合、潤滑、涂層、表面活性、脫模、消泡、抑泡、防水、防潮、惰性填充等。隨著有機硅數(shù)量和品種的持續(xù)增長,應用領(lǐng)域不斷拓寬,形成化工新材料界獨樹一幟的重要產(chǎn)品體系,許多品種是其他化學品無法替代而又必不可少的。
6、硅可以提高植物莖稈的硬度,增加害蟲取食和消化的難度。盡管硅元素在植物生長發(fā)育中不是必需元素,但它也是植物抵御逆境、調(diào)節(jié)植物與其他生物之間相互關(guān)系所必需的化學元素。
硅在提高植物對非生物和生物逆境抗性中的作用很大,如硅可以提高植物對干旱、鹽脅迫、紫外輻射以及病蟲害等的抗性。硅可以提高水稻對稻縱卷葉螟的抗性,施用硅后水稻對害蟲取食的防御反應迅速提高,硅對植物防御起到警備作用。
水稻在受到蟲害襲擊時,硅可以警備水稻迅速激活與抗逆性相關(guān)的茉莉酸途徑,茉莉酸信號反過來促進硅的吸收,硅與茉莉酸信號途徑相互作用影響著水稻對害蟲的抗性。
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頁數(shù): 5頁
評分: 4.7
扼要介紹了鋁硅合金生產(chǎn)中的五種熔配工藝,以共晶型與過共晶型兩種不同牌號的鋁硅合金為例闡述了低溫加硅熔煉技術(shù),獲得了最佳工藝,該方法質(zhì)量穩(wěn)定、節(jié)約能源、環(huán)境友好。
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成都硅寶和美國 GE膠的對比 1.結(jié)構(gòu)膠的強度、伸長率對比 對于幕墻結(jié)構(gòu)膠,從圖中的拉伸曲線中可以看出, GE SSG-4800J結(jié)構(gòu)膠的強度和最大強度的伸長都只是剛好達到 GB 16776-2005《建筑用硅酮結(jié)構(gòu)密封膠》的要求 硅寶的結(jié)構(gòu)膠產(chǎn)品,無論是 1099 高性能硅酮結(jié)構(gòu)膠或 者 999 硅酮結(jié)構(gòu)密封膠,在強度和伸長率上,都遠超標準要 求。 與 GE的產(chǎn)品相比,硅寶的結(jié)構(gòu)膠產(chǎn)品優(yōu)勢很大,能夠 為幕墻提供更高的安全系數(shù)。 2.耐候密封膠對比 測試項目 硅寶 998 GE SSG2900 外觀 符合標準 符合標準 類型 酮肟型 醇型 重量, g 860 844 包裝體積, ml 590 591.5 擠出性 ,ml/min 152 93 表干時間 ,min 90 240 硬度 ,Shore A 43 26 60%模量 ,MPa 常態(tài) 0.71 0.29 浸水 0.6
單晶硅多晶硅非晶硅非晶硅片
非晶硅太陽電池是1976年有出現(xiàn)的新型薄膜式太陽電池,它與單晶硅和多晶硅太陽電池的制作方法完全不同,硅材料消耗很少,電耗更低,非常吸引人。制造非晶硅太陽電池的方法有多種,最常見的是輝光放電法,還有反應濺射法、化學氣相沉積法、電子束蒸發(fā)法和熱分解硅烷法等。輝光放電法是將一石英容器抽成真空,充入氫氣或氬氣稀釋的硅烷,用射頻電源加熱,使硅烷電離,形成等離子體。非晶硅膜就沉積在被加熱的襯底上。若硅烷中摻人適量的氫化磷或氫化硼,即可得到N型或P型的非晶硅膜。襯底材料一般用玻璃或不銹鋼板。這種制備非晶硅薄膜的工藝,主要取決于嚴格控制氣壓、流速和射頻功率,對襯底的溫度也很重要。非晶硅太陽電池的結(jié)構(gòu)有各種不同,其中有一種較好的結(jié)構(gòu)叫PiN電池,它是在襯底上先沉積一層摻磷的N型非晶硅,再沉積一層未摻雜的i層,然后再沉積一層摻硼的P型非晶硅,最后用 電子束蒸發(fā)一層減反射膜,并蒸鍍銀電極。此種制作工藝,可以采用一連串沉積室,在生產(chǎn)中構(gòu)成連續(xù)程序,以實現(xiàn)大批量生產(chǎn)。同時,非晶硅太陽電池很薄,可以制成疊層式,或采用集成電路的方法制造,在一個平面上,用適當?shù)难谀9に嚕淮沃谱鞫鄠€串聯(lián)電池,以獲得較高的電壓。因為普通晶體硅太陽電池單個只有0.5伏左右的電壓,現(xiàn)在日本生產(chǎn)的非晶硅串聯(lián)太陽電池可達2.4伏。目前非晶硅太陽電池存在的問題是光電轉(zhuǎn)換效率偏低,國際先進水平為10%左右,且不夠穩(wěn)定,常有轉(zhuǎn)換效率衰降的現(xiàn)象,所以尚未大量用于作大型太陽能電源,而多半用于弱光電源,如袖珍式電子計算器、電子鐘表及復印機等方面。估計效率衰降問題克服后,非晶硅太陽電池將促進太陽能利用的大發(fā)展,因為它成本低,重量輕,應用更為方便,它可以與房屋的屋面結(jié)合構(gòu)成住戶的獨立電源.
在猛烈陽光底下,單晶體式太陽能電池板較非晶體式能夠轉(zhuǎn)化多一倍以上的太陽能為電能,但可惜單晶體式的價格比非晶體式的昂貴兩三倍以上,而且在陰天的情況下非晶體式反而與晶體式能夠收集到差不多一樣多的太陽能
硅(臺灣、香港稱矽)是一種化學元素,它的化學符號是Si,舊稱矽。原子序數(shù)14,相對原子質(zhì)量28.09,有無定形和晶體兩種同素異形體,同素異形體有無定形硅和結(jié)晶硅。屬于元素周期表上IVA族的類金屬元素。
晶體硅為鋼灰色,無定形硅為黑色,密度2.4g/cm3,熔點1420℃,沸點2355℃,晶體硅屬于原子晶體,硬而有光澤,有半導體性質(zhì)。硅的化學性質(zhì)比較活潑,在高溫下能與氧氣等多種元素化合,不溶于水、硝酸和鹽酸,溶于氫氟酸和堿液,用于造制合金如硅鐵、硅鋼等,單晶硅是一種重要的半導體材料,用于制造大功率晶體管、整流器、太陽能電池等。硅在自然界分布極廣,地殼中約含27.6%,主要以二氧化硅和硅酸鹽的形式存在 結(jié)晶型的硅是暗黑藍色的,很脆,是典型的半導體?;瘜W性質(zhì)非常穩(wěn)定。在常溫下,除氟化氫以外,很難與其他物質(zhì)發(fā)生反應。
硅的用途:
①高純的單晶硅是重要的半導體材料。在單晶硅中摻入微量的第IIIA族元素,形成p型硅半導體;摻入微量的第VA族元素,形成n型和p型半導體結(jié)合在一起,就可做成太陽能電池,將輻射能轉(zhuǎn)變?yōu)殡娔堋T陂_發(fā)能源方面是一種很有前途的材料。
②金屬陶瓷、宇宙航行的重要材料。將陶瓷和金屬混合燒結(jié),制成金屬陶瓷復合材料,它耐高溫,富韌性,可以切割,既繼承了金屬和陶瓷的各自的優(yōu)點,又彌補了兩者的先天缺陷。 可應用于軍事武器的制造第一架航天飛機"哥倫比亞號"能抵擋住高速穿行稠密大氣時磨擦產(chǎn)生的高溫,全靠它那三萬一千塊硅瓦拼砌成的外殼。
③光導纖維通信,最新的現(xiàn)代通信手段。用純二氧化硅拉制出高透明度的玻璃纖維,激光在玻璃纖維的通路里,無數(shù)次的全反射向前傳輸,代替了笨重的電纜。光纖通信容量高,一根頭發(fā)絲那么細的玻璃纖維,可以同時傳輸256路電話,它還不受電、磁干擾,不怕竊聽,具有高度的保密性。光纖通信將會使 21世紀人類的生活發(fā)生革命性巨變。
④性能優(yōu)異的硅有機化合物。例如有機硅塑料是極好的防水涂布材料。在地下鐵道四壁噴涂有機硅,可以一勞永逸地解決滲水問題。在古文物、雕塑的外表,涂一層薄薄的有機硅塑料,可以防止青苔滋生,抵擋風吹雨淋和風化。天安門廣場上的人民英雄紀念碑,便是經(jīng)過有機硅塑料處理表面的,因此永遠潔白、清新。
有機硅化合物,是指含有Si-O鍵、且至少有一個有機基是直接與硅原子相連的化合物,習慣上也常把那些通過氧、硫、氮等使有機基與硅原子相連接的化合物也當作有機硅化合物。其中,以硅氧鍵(-Si-0-Si-)為骨架組成的聚硅氧烷,是有機硅化合物中為數(shù)最多,研究最深、應用最廣的一類,約占總用量的90%以上。
有機硅材料具有獨特的結(jié)構(gòu):
(1) Si原子上充足的甲基將高能量的聚硅氧烷主鏈屏蔽起來;
(2) C-H無極性,使分子間相互作用力十分微弱;
(3) Si-O鍵長較長,Si-O-Si鍵鍵角大。
(4) Si-O鍵是具有50%離子鍵特征的共價鍵(共價鍵具有方向性,離子鍵無方向性)。 由于有機硅獨特的結(jié)構(gòu),兼?zhèn)淞藷o機材料與有機材料的性能,具有表面張力低、粘溫系數(shù)小、壓縮性高、氣體滲透性高等基本性質(zhì),并具有耐高低溫、電氣絕緣、耐氧化穩(wěn)定性、耐候性、難燃、憎水、耐腐蝕、無毒無味以及生理惰性等優(yōu)異特性,廣泛應用于航空航天、電子電氣、建筑、運輸、化工、紡織、食品、輕工、醫(yī)療等行業(yè),其中有機硅主要應用于密封、粘合、潤滑、涂層、表面活性、脫模、消泡、抑泡、防水、防潮、惰性填充等。隨著有機硅數(shù)量和品種的持續(xù)增長,應用領(lǐng)域不斷拓寬,形成化工新材料界獨樹一幟的重要產(chǎn)品體系,許多品種是其他化學品無法替代而又必不可少的。 有機硅材料按其形態(tài)的不同,可分為:硅烷偶聯(lián)劑(有機硅化學試劑)、硅油(硅脂、硅乳液、硅表面活性劑)、高溫硫化硅橡膠、液體硅橡膠、硅樹脂、復合物等。
發(fā)現(xiàn) 1822年,瑞典化學家白則里用金屬鉀還原四氟化硅,得到了單質(zhì)硅。
我們的生活中處處可見"硅"的身影和作用,晶體硅太陽能電池是近15年來形成產(chǎn)業(yè)化最快的。