中文名 | 特征尺寸測(cè)量用掃描電子顯微鏡 | 外文名 | Critical Dimension Scanning Electron Microscope |
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測(cè)量圖形的尺寸,一般是依靠高分辨率的電子顯微鏡(scanning electron microscope, CD-SEM)來測(cè)量光刻膠圖形的尺寸。圖1是這種顯微鏡工作的過程:它采用逐步放大(zoom in)的方法,指定了所要測(cè)量圖形的具體位置。在圖1中方框的引導(dǎo)下,光刻工藝工程師可以用電鏡一步一步找到測(cè)量的位置。另外,圖1中還標(biāo)出所要測(cè)量的圖形在曝光區(qū)域中的坐標(biāo)。這個(gè)坐標(biāo)值是以曝光區(qū)域左下角為原點(diǎn)(0, 0)的。在線寬測(cè)量電鏡(CD-SEM)中輸入坐標(biāo)值, CD-SEM 的運(yùn)動(dòng)平臺(tái)可以直接移動(dòng)到所要測(cè)量的圖形處。手冊(cè)中所有需要測(cè)量的圖形都必須像圖1一樣給出其所在曝光區(qū)域的準(zhǔn)確位置。
顯然,使用坐標(biāo)值可以更方便快速地尋找到測(cè)量圖形。特別是在需要測(cè)量很多圖形時(shí),坐標(biāo)的優(yōu)點(diǎn)更為明顯。因此,光刻工程師都希望標(biāo)準(zhǔn)手冊(cè)能提供所有測(cè)量圖形的位置坐標(biāo)(X, Y)。位置坐標(biāo)可以從設(shè)計(jì)圖形(GDS 文件)中獲取,但是,設(shè)計(jì)圖形中的坐標(biāo)一般是相對(duì)于本模塊(chiplet/die)的左下角的(Xchiplet, Ychiplet),必須要轉(zhuǎn)換成相對(duì)于曝光區(qū)域的左下角。轉(zhuǎn)換的辦法就是疊加上模塊在曝光區(qū)域的位置(ΔX,ΔY),即X=ΔX Xchiplet;Y=ΔY Ychiplet,如圖2所示 。
在28nm以下,線寬進(jìn)一步縮小,CD-SEM測(cè)量導(dǎo)致的光刻膠損失效應(yīng)再也不能忽略了。在電子束的轟擊下,光刻膠的邊緣已經(jīng)平滑了,測(cè)得的光刻膠圖形的線寬也增大了50%左右。CD-SEM 測(cè)量導(dǎo)致的光刻膠線寬收縮(shrinkage)可以用下列公式來定量表示
式中,S和γ是常數(shù),由實(shí)驗(yàn)結(jié)果擬合得到,單位分別是nm和nm/(μC/cm2)。dose=I·t/A,I是束流,單位是pA;t是照射時(shí)間,單位是s;A是受照射的面積,單位是μm2 。
電子顯微鏡的分類 1、透射電鏡 (TEM) 樣品必須制成電子能穿透的,厚度為100~2000 ?的薄膜。成像方式與光學(xué)生物顯微鏡相似,只是以電子透鏡代替玻璃透鏡。放大后的電子像在熒光屏上顯示出來,TE...
電子顯微鏡是根據(jù)電子光學(xué)原理,用電子束和電子透鏡代替光束和光學(xué)透鏡,使物質(zhì)的細(xì)微結(jié)構(gòu)在非常高的放大倍數(shù)下成像的儀器。 電子顯微鏡的分辨能力以它所能分辨的相鄰兩點(diǎn)的最小間距來表示。20世紀(jì)70年代,透射...
顧名思義,所謂電子顯微鏡是以電子束為照明光源的顯微鏡。由于電子束在外部磁場(chǎng)或電場(chǎng)的作用下可以發(fā)生彎曲,形成類似于可見光通過玻璃時(shí)的折射現(xiàn)象,所以我們就可以利用這一物理效應(yīng)制造出電子束的“透鏡”,從而開...
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用掃描電子顯微鏡(SEM)對(duì)PS版鋁板基上的砂目形貌進(jìn)行了觀察分析,比較了不同砂目形貌對(duì)PS版性能的影響。實(shí)踐證明,SEM可以方便直觀地觀察鋁板基上砂目的細(xì)密程度、平臺(tái)和深度,為砂目的處理提供客觀可靠的依據(jù)。
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原子水平的表面特征傳感器—掃描式隧道電子顯微鏡(STM)
在集成電路領(lǐng)域,特征尺寸是指半導(dǎo)體器件中的最小尺寸。人們?cè)谡劶癈PU的更新?lián)Q代時(shí),經(jīng)常會(huì)說到類似的話:這款CPU采用了28 nm工藝,跟上一代采用40 nm工藝的同系列芯片相比,性能提升了多少、功耗下降了多少。這里說到的40 nm、28 nm就是集成電路的特征尺寸。一般來說,特征尺寸越小,芯片的集成度越高,性能越好,功耗越低。
掃描電子顯微鏡 在新型陶瓷材料顯微分析中的應(yīng)用
顯微結(jié)構(gòu)的分析
在陶瓷的制備過程中,原始材料及其制品的顯微形貌、孔隙大小、晶界和團(tuán)聚程度等將決定其最后的性能。掃描電子顯微鏡可以清楚地反映和記錄這些微觀特征,是觀察分析樣品微觀結(jié)構(gòu)方便、易行的有效方法,樣品無需制備,只需直接放入樣品室內(nèi)即可放大觀察;同時(shí)掃描電子顯微鏡可以實(shí)現(xiàn)試樣從低倍到高倍
的定位分析,在樣品室中的試樣不僅可以沿三維空間移動(dòng),還能夠根據(jù)觀察需要進(jìn)行空間轉(zhuǎn)動(dòng),以利于使用者對(duì)感興趣的部位進(jìn)行連續(xù)、系統(tǒng)的觀察分析。掃描電子顯微鏡拍出的圖像真實(shí)、清晰,并富有立體感,在新型陶瓷材料的三維顯微組織形態(tài)的觀察研究方面獲得了廣泛地應(yīng)用。
由于掃描電子顯微鏡可用多種物理信號(hào)對(duì)樣品進(jìn)行綜合分析,并具有可以直接觀察較大試樣、放大倍數(shù)范圍寬和景深大等特點(diǎn),當(dāng)陶瓷材料處于不同的外部條件和化學(xué)環(huán)境時(shí),掃描電子顯微鏡在其微觀結(jié)構(gòu)分析研究方面同樣顯示出極大的優(yōu)勢(shì)。主要表現(xiàn)為: ⑴力學(xué)加載下的微觀動(dòng)態(tài) (裂紋擴(kuò)展)研究 ; ⑵加熱
條件下的晶體合成、氣化、聚合反應(yīng)等研究 ; ⑶晶體生長(zhǎng)機(jī)理、生長(zhǎng)臺(tái)階、缺陷與位錯(cuò)的研究; ⑷成分的非均勻性、殼芯結(jié)構(gòu)、包裹結(jié)構(gòu)的研究; ⑸晶粒相成分在化學(xué)環(huán)境下差異性的研究等。
納米尺寸的研究
納米材料是納米科學(xué)技術(shù)最基本的組成部分,現(xiàn)在可以用物理、化學(xué)及生物學(xué)的方法制備出只有幾個(gè)納米的“顆粒 ”。納米材料的應(yīng)用非常廣泛,比如通常陶瓷材料具有高硬度、耐磨、抗腐蝕等優(yōu)點(diǎn),納米陶瓷在一定的程度上也可增加韌性、改善脆性等,新型陶瓷納米材料如納米稱、納米天平等亦是重要的應(yīng)用領(lǐng)域。納米材料的一切獨(dú)特性主要源于它的納米尺寸,因此必須首先確切地知道其尺寸,否則對(duì)納米材料的
研究及應(yīng)用便失去了基礎(chǔ)。縱觀當(dāng)今國內(nèi)外的研究狀況和最新成果,目前該領(lǐng)域的檢測(cè)手段和表征方法可以使用透射電子顯微鏡、掃描隧道顯微鏡、原子力顯微鏡等技術(shù),但高分辨率的掃描電子顯微鏡在納米級(jí)別材料的形貌觀察和尺寸檢測(cè)方面因具有簡(jiǎn)便、可操作性強(qiáng)的優(yōu)勢(shì)被大量采用。另外如果將掃描電子顯微
鏡與掃描隧道顯微鏡結(jié)合起來,還可使普通的掃描電子顯微鏡升級(jí)改造為超高分辨率的掃描電子顯微鏡。圖 2所示是納米鈦酸鋇陶瓷的掃描電鏡照片,晶粒尺寸平均為 20nm。
鐵電疇的觀測(cè)
壓電陶瓷由于具有較大的力電功能轉(zhuǎn)換率及良好的性能可調(diào)控性等特點(diǎn)在多層陶瓷驅(qū)動(dòng)器、微位移器、換能器以及機(jī)敏材料與器件等領(lǐng)域獲得了廣泛的應(yīng)用。隨著現(xiàn)代技術(shù)的發(fā)展,鐵電和壓電陶瓷材料與器件正向小型化、集成化、多功能化、智能化、高性能和復(fù)合結(jié)構(gòu)發(fā)展,并在新型陶瓷材料的開發(fā)和研究中發(fā)揮重要作用。鐵電疇 (簡(jiǎn)稱電疇)是其物理基礎(chǔ),電疇的結(jié)構(gòu)及疇變規(guī)律直接決定了鐵電體物理性質(zhì)和應(yīng)用方向。電子顯微術(shù)是目前觀測(cè)電疇的主要方法,其優(yōu)點(diǎn)在于分辨率高,可直接觀察電疇和疇壁的顯微結(jié)構(gòu)及相變的動(dòng)態(tài)原位觀察 (電疇壁的遷移)。
掃描電子顯微鏡觀測(cè)電疇是通過對(duì)樣品表面預(yù)先進(jìn)行化學(xué)腐蝕來實(shí)現(xiàn)的,由于不同極性的疇被腐蝕的程度不一樣,利用腐蝕劑可在鐵電體表面形成凹凸不平的區(qū)域從而可在顯微鏡中進(jìn)行觀察。因此,可以將樣品表面預(yù)先進(jìn)行化學(xué)腐蝕后,利用掃描電子顯微鏡圖像中的黑白襯度來判斷不同取向的電疇結(jié)構(gòu)。對(duì)不同的鐵電晶體選擇合適的腐蝕劑種類、濃度、腐蝕時(shí)間和溫度都能顯示良好的疇圖樣。圖 3是掃描電子顯微鏡觀察到的 PLZT材料的 90°電疇。掃描電子顯微鏡 與其他設(shè)備的組合以實(shí)現(xiàn)多種分析功能
在實(shí)際分析工作中,往往在獲得形貌放大像后,希望能在同一臺(tái)儀器上進(jìn)行原位化學(xué)成分或晶體結(jié)構(gòu)分析,提供包括形貌、成分、晶體結(jié)構(gòu)或位向在內(nèi)的豐富資料,以便能夠更全面、客觀地進(jìn)行判斷分析。為了適應(yīng)不同分析目的的要求,在掃描電子顯微鏡上相繼安裝了許多附件,實(shí)現(xiàn)了一機(jī)多用,成為一種快速、直觀、綜合性分析儀器。把掃描電子顯微鏡應(yīng)用范圍擴(kuò)大到各種顯微或微區(qū)分析方面,充分顯示了掃描電鏡的多種性能及廣泛的應(yīng)用前景。
目前掃描電子顯微鏡的最主要組合分析功能有:X射線顯微分析系統(tǒng)(即能譜儀,EDS),主要用于元素的定性和定量分析,并可分析樣品微區(qū)的化學(xué)成分等信息;電子背散射系統(tǒng) (即結(jié)晶學(xué)分析系統(tǒng)),主要用于晶體和礦物的研究。隨著現(xiàn)代技術(shù)的發(fā)展,其他一些掃描電子顯微鏡組合分析功能也相繼出現(xiàn),例如顯微熱臺(tái)和冷臺(tái)系統(tǒng),主要用于觀察和分析材料在加熱和冷凍過程中微觀結(jié)構(gòu)上的變化;拉伸臺(tái)系統(tǒng),主要用于觀察和分析材料在受力過程中所發(fā)生的微觀結(jié)構(gòu)變化。掃描電子顯微鏡與其他設(shè)備組合而具有的新型分析功能為新材料、新工藝的探索和研究起到重要作用。
成像
次級(jí)電子和背散射電子可以用于成像,但后者不如前者,所以通常使用次級(jí)電子。
表面分析
歐革電子、特征X射線、背散射電子的產(chǎn)生過程均與樣品原子性質(zhì)有關(guān),所以可以用于成分分析。但由于電子束只能穿透樣品表面很淺的一層(參見作用體積),所以只能用于表面分析。
表面分析以特征X射線分析最常用,所用到的探測(cè)器有兩種:能譜分析儀與波譜分析儀。前者速度快但精度不高,后者非常精確,可以檢測(cè)到“痕跡元素”的存在但耗時(shí)太長(zhǎng)。
我們知道,集成電路從電路設(shè)計(jì)到芯片制造,要經(jīng)歷非常復(fù)雜的過程,其中芯片制造需要依賴微電子技術(shù)中的微細(xì)加工手段,因此也就會(huì)涉及到各種尺寸:襯底的厚度、PN結(jié)的深度、金屬連線的寬度、氧化物膜的厚度、MOS-FET溝道的長(zhǎng)度,等等。這其中最小的尺寸往往就是最小線條的寬度,俗稱“線寬”。線寬最小能達(dá)到多少,往往取決于Foundry的技術(shù)和設(shè)備,比如光刻設(shè)備分辨率。對(duì)現(xiàn)在主流的CMOS工藝來說,這個(gè)“線寬”其實(shí)是作為柵極的多晶硅的寬度,也就是晶體管的溝道長(zhǎng)度。因此可以簡(jiǎn)單認(rèn)為特征尺寸就是芯片制造工藝線中能加工的最小尺寸,也是設(shè)計(jì)中采用的最小設(shè)計(jì)尺寸單位(“λ設(shè)計(jì)規(guī)則”中的λ),它是IC設(shè)計(jì)和制造最重要的技術(shù)水平指標(biāo)。
從圖中可以看出,對(duì)于MOS-FET來說,柵極線條的寬度就是晶體管溝道的長(zhǎng)度。根據(jù)MOS-FET的原理,在柵極加上一定電壓后能促成溝道的形成,溝道形成后載流子能在兩個(gè)有源區(qū)之間流動(dòng),就形成電流,相當(dāng)于開啟了晶體管。這條溝道就像一條河,而電子和空穴就是運(yùn)載貨物的船,要把貨物(信息)運(yùn)到對(duì)岸去。要想提高運(yùn)送的速度,可以使用不同的動(dòng)力使船跑快一些,比如輪船比小帆船跑得快,核動(dòng)力航母又比普通輪船跑得快;讓載流子吸收光或熱的能量,以及給晶體管加上不同的偏置電壓,就類似于這種效果。但是還有一個(gè)更快捷有效的方法,那就是縮小航程——顯然,這條河越窄,過河的時(shí)間越短,運(yùn)貨的速度也就越快。因此,特征尺寸的縮小可以提高載流子的等效速度,而載流子的運(yùn)動(dòng)速度決定了晶體管集成電路的工作頻率,這就是為什么線寬的縮小能使CPU的頻率提升的深層次原因,它體現(xiàn)了集成電路微觀世界與芯片宏觀應(yīng)用之間的聯(lián)系,也說明了微電子工藝的提升對(duì)IC性能的提升是最有效的。
特征尺寸(溝道長(zhǎng)度)的縮小雖然有明顯的好處,但是也會(huì)帶來一系列負(fù)面效應(yīng),統(tǒng)稱為“短溝道效應(yīng)”。例如,場(chǎng)效應(yīng)管強(qiáng)調(diào)的是柵極電壓的控制作用,但是在溝道短到一定程度時(shí),源與漏之間會(huì)存在漏電流,即使撤掉了柵極電壓,也可能關(guān)不斷MOS管。這容易理解,因?yàn)橹暗拇蠛幼兂闪艘粭l小水溝,可以一躍而過,就不需要坐船渡過了。漏電流的存在會(huì)使電路的靜態(tài)功耗增大。為了降低“短溝道效應(yīng)”帶來的負(fù)面影響,需要在器件結(jié)構(gòu)、制造工藝等方面進(jìn)行改進(jìn)。